Samsung разработал чипы памяти объемом 8 GB по технологии 10 nm

Скорость передачи информации в представленных чипах достигает 34 Гбит в секунду. В предыдущем поколении микросхем применялся 14 nm техпроцесс. Новинка обеспечит более высокие возможности для флагманских моделей — устройства, например, будут без помех воспроизводить 4K UHD-видео.

Прежде фирма Intel перенесла сроки внедрения техпроцесса 10 nm на конец 2017 года, хотя намеревалась приступить к работе в феврале 2016 года.

Пронедра ранее сообщали, что компания Samsung Electronics ожидает сокращения операционной прибыли примерно на $3 млрд в течение ближайшего полугодия в связи с прекращением производства смартфонов Galaxy Note 7 из-за их самовоспламеняемости.